1. Гетеробиполярные транзисторы



Скачать 333.71 Kb.
страница1/2
Дата14.03.2018
Размер333.71 Kb.
  1   2

1. Гетеробиполярные транзисторы

За последние два десятилетия, благодаря технологиям эпитаксиального роста, гетеропереходные биполярные транзисторы (HBT) стали основными (ведущими/определяющими) устройствами для оптоэлектронных схем. По сравнению с их составными гомоструктурными элементами, использование широкозонных гетеропереходных эмиттеров позволяет создавать HBT с очень высокой степенью легирования базы [13]. Это обеспечивает более низкое сопротивление базы и емкость между базой и коллектором и обеспечивает лучшую радиочастотную производительность.





Поделитесь с Вашими друзьями:
  1   2


База данных защищена авторским правом ©zodorov.ru 2017
обратиться к администрации

    Главная страница