Форма обучения очная



Скачать 15.49 Mb.
Pdf просмотр
страница236/399
Дата03.03.2020
Размер15.49 Mb.
ТипРеферат
1   ...   232   233   234   235   236   237   238   239   ...   399
18.03.01
Химическая технология
Профиль подготовки «Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
»
ФОРМА ОБУЧЕНИЯ – ОЧНАЯ
СРОК ОСВОЕНИЯ ООП – 4 ГОДА технологического процесса. Методы контроля толщины и электрических параметров диэлектрических слоев.
Модуль 4. Процессы формирование топологии элементов в технологии микро- и
наноэлектроники.
Назначение и место литографических процессов в технологии полупроводниковых приборов, ИМС и печатных (коммутационных) плат. Фотолитография как непрерывный цикл последовательных операций нанесения, сушки, экспонирования, проявления и задубливания фоторезиста с последующим формированием маски в технологическом слое. Понятие технологического слоя.
Физико-химическая сущность и технологические параметры проведения процессов литографического цикла. Основные законы фотохимии, физико-химические свойства и типы фоторезистов, способы совмещения фотошаблона с подложкой, особенности экспонирования и основные источники возникновения брака при фотолитографии. Фотошаблоны, требования к ним, методы изготовления фотошаблонов, удаление фоторезиста. Усовершенствования традиционного способа фотолитографии, литография в жестком ультрафиолете, многослойные пленки резистов, обратная фотолитография. Электронолитография, рентгенолитография, ионолитография, их области применения, преимущества (недостатки) по сравнению с фотолитографией, особенности резистов и шаблонов, стереолитография, нанолитография.
Модуль 5. Процессы формирование в подложке областей с различными электрофизическими


Скачать 15.49 Mb.

Поделитесь с Вашими друзьями:
1   ...   232   233   234   235   236   237   238   239   ...   399




База данных защищена авторским правом ©zodorov.ru 2020
обратиться к администрации

    Главная страница