Форма обучения очная



Скачать 15.49 Mb.
Pdf просмотр
страница237/399
Дата03.03.2020
Размер15.49 Mb.
ТипРеферат
1   ...   233   234   235   236   237   238   239   240   ...   399
характеристиками.
Процессы формирования легированных областей в полупроводниковых подложках методом термической диффузии, классификация процессов высокотемпературной диффузии, области применения высокотемпературной диффузии, преимущества и недостатки, физические основы процесса диффузии, факторы, влияющие на эффективность внедрения примеси в объем полупроводниковых материалов, механизмы высокотемпературной диффузии, модели диффузионных процессов, критерии выбора диффузантов. Ионное внедрение примеси в объем полупроводниковых подложек, источники ионов, системы формирования и сепарации ионных пучков, профиль распределения внедренных ионов, применения ионного легирования в технологии микро- и наноэлектроники; термический и корпускулярно-лучевой отжиг; сравнительный анализ процессов ионного легирования и высокотемпературной диффузии. Методы контроля глубины залегания легированных областей и профиля распределения внедренной примеси.


Скачать 15.49 Mb.

Поделитесь с Вашими друзьями:
1   ...   233   234   235   236   237   238   239   240   ...   399




База данных защищена авторским правом ©zodorov.ru 2020
обратиться к администрации

    Главная страница